쏠레노이드인덕터의모놀리식제조방법

Abstract

120도 이하의 저온에서 단일의 3차원 구조의 포토레지스트 몰드 패터닝과 단일의 금속 도금을 이용한 간단한 공정에 의해서 높은 집적 회로 호환성과 우수한 생산성 및 저렴한 제조 비용으로 종래의 기술로는 제조가 어려웠던 3차원 구조의 쏠레노이드 인덕터를 모놀리식 방식으로 제조하는 방법이 개시되어 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따르면, 다중 노광 및 단일 현상법에 의해서 3차원 브릿지 몰드를 형성하고 금속 도금을 실시하여, 도전 포스트를 형성한 도금 금속이 넘침에 의해 상부 도전선을 형성함으로써, 도전 포스트와 상부 도전선이 한 몸체인 금속 브릿지를 단일의 금속 도금 과정에서 얻는다. 본 발명의 제 2 실시 예에 따르면, 포토레지스트로 이루어진 희생층을 사용하여 자성 코어를 내포한 쏠레노이드 인덕터를 제작한다. 본 발명의 제 3 실시 예, 제 4 실시 예 및 제 5 실시 예에 따르면, 제 3 씨앗 금속층 또는 더미 포스트를 도입함으로써 길이의 제한이 없는 금속 브릿지를 형성하여, 결국에는 길이의 제한이 없으면서 공심 또는 자성 코어를 내포하는 쏠레노이드 인덕터를 제조한다.