터널링 전계 효과 트랜지스터 및 이를 포함하는 반도체 장치(TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME)High Performance Silicon Tunneling Field Effect Transistor with Dipole Modulation Layer
터널링 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 형성된 드레인 영역, 상기 드레인 영역 상에 형성된 채널, 상기 채널 상에 형성된 쌍극자 형성막, 상기 쌍극자 형성막 상에 형성된 소스 영역, 상기 채널을 둘러싸는 게이트 절연 패턴, 및 상기 게이트 절연 패턴을 둘러싸는 게이트 전극을 포함할 수 있으며, 상기 쌍극자 형성막은 상기 채널과 상기 소스 영역에 접촉하여 이들 사이에 쌍극자(dipole)를 형성할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-03-23
- Application Number
- 10-2021-0037091
- Registration Date
- 2022-09-30
- Registration Number
- 10-2451562-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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