반도체 필라의 제조방법 및 반도체 필라가 구비된 전계효과트랜지스터Fabrication Method of Semiconductor Pillar and the Field Effect Transistor Having Semiconductor Pillar
본 발명은 광을 이용한 리쏘그라피 및 에칭을 이용하여 수 ㎛이하의 지름을 갖는 각진 기둥형상의 반도체 필라를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상세하게, 본 발명의 제조방법은 e-빔, 이온빔 리쏘그라피등을 사용하지 않고 광 리쏘그라피 및 에칭을 이용하여 반도체 기판에 3차원의 다각 기둥형상의 필라를 제조하며, 반도체 필라의 형상, 크기, 필라의 표면을 형성하는 면들이 제어가능하며, 원자적으로 잘 규정된 결정학적 면들로 필라의 표면이 형성되며, 저비용으로 짧은 시간에 대량 제조 가능한 반도체 필라의 제조방법에 관한 것이다. 반도체, 필라(pillar), 광 리쏘그라피, 에칭, 전계효과트랜지스터, 수직구조, 핀구조
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2008-12-09
- Application Number
- 10-2008-0124581
- Registration Date
- 2011-07-21
- Registration Number
- 10-1052290-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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