반도체 필라의 제조방법 및 반도체 필라가 구비된 전계효과트랜지스터Fabrication Method of Semiconductor Pillar and the Field Effect Transistor Having Semiconductor Pillar
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이병주 | ko |
| dc.contributor.author | 이완규 | ko |
| dc.contributor.author | 설우석 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-24T06:07:19Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-24T06:07:19Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300770 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 광을 이용한 리쏘그라피 및 에칭을 이용하여 수 ㎛이하의 지름을 갖는 각진 기둥형상의 반도체 필라를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상세하게, 본 발명의 제조방법은 e-빔, 이온빔 리쏘그라피등을 사용하지 않고 광 리쏘그라피 및 에칭을 이용하여 반도체 기판에 3차원의 다각 기둥형상의 필라를 제조하며, 반도체 필라의 형상, 크기, 필라의 표면을 형성하는 면들이 제어가능하며, 원자적으로 잘 규정된 결정학적 면들로 필라의 표면이 형성되며, 저비용으로 짧은 시간에 대량 제조 가능한 반도체 필라의 제조방법에 관한 것이다. 반도체, 필라(pillar), 광 리쏘그라피, 에칭, 전계효과트랜지스터, 수직구조, 핀구조 | - |
| dc.title | 반도체 필라의 제조방법 및 반도체 필라가 구비된 전계효과트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication Method of Semiconductor Pillar and the Field Effect Transistor Having Semiconductor Pillar | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이완규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 설우석 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0124581 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1052290-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-12-09 | - |
| dc.date.registration | 2011-07-21 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- RIMS Patents
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.