화학기상증착법에의한코발트실리사이드콘택형성방법

Abstract

본 발명은 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성을 위한 화학기상증착법에 의한 코발트실리사이드(cobalt silicide)제조방법에 관한 것이다. 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인(source/drain) 및 폴리실리콘 게이트(poly-Si gate) 전극의 접촉저항을 감소시키기 위한 실리사이드(silicide) 공정을 화학기상증착법에 의해 기판을 600℃로 코발트의 증착과 동시에 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi를 형성시키고 700-800℃로 열처리하여 저 접촉저항을 갖는 CoSi2를 형성시킴으로서 콘택형성 공정을 단순화시키고 화학기상증착법의 장점인 도포성(step coverage)이 우수하여 Giga DRAM급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다.