DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 안병태 | ko |
dc.contributor.author | 이화성 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-11-22T08:03:21Z | - |
dc.date.available | 2022-11-22T08:03:21Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300510 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 고집적회로 반도체소자에 이용되는 모스 트랜지스터에서의 콘택 형성을 위한 화학기상증착법에 의한 코발트실리사이드(cobalt silicide)제조방법에 관한 것이다. 미세구조의 고집적 반도체 소자의 소스/드레인(source/drain) 및 폴리실리콘 게이트(poly-Si gate) 전극의 접촉저항을 감소시키기 위한 실리사이드(silicide) 공정을 화학기상증착법에 의해 기판을 600℃로 코발트의 증착과 동시에 실리콘 표면에서 코발트와 실리콘의 금속간 화합물인 CoSi를 형성시키고 700-800℃로 열처리하여 저 접촉저항을 갖는 CoSi2를 형성시킴으로서 콘택형성 공정을 단순화시키고 화학기상증착법의 장점인 도포성(step coverage)이 우수하여 Giga DRAM급 이상의 초미세반도체 집적회로 제조에 이용할 수 있다. | - |
dc.title | 화학기상증착법에의한코발트실리사이드콘택형성방법 | - |
dc.title.alternative | METHOD FOR FORMING CONTACT OF COBALT SILICIDE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이화성 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1998-0006293 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0291202-0000 | - |
dc.date.application | 1998-02-27 | - |
dc.date.registration | 2001-03-08 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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