신규한바이폴라트랜지스터및그의제조방법

Abstract

본 발명은 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 베이스와 콜렉터간의 정전용량이 대폭적으로 감소된 바이폴라 트랜지스터 및 선택적 에피택시 공정을 이용하여 전기 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이폴라 트랜지스터는 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110방향)과 10°내지 40°의 각을 이루면서 유전체 박막으로 형성된 마스크(20); 전기 마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31); 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45) 및 에미터 캡층(46); 및 에미터 전극(48), 베이스 전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하며, 마스크 형성공정, 선택적 에피택시공정, 식각 및 전극형성공정에 의해 제조되고, 본 발명에 의해 콜렉터가 절연기판 내부에 묻히지 않는 구조를 지니면서도 효과적으로 베이스-콜렉터 간의 정전용량을 대폭적으로 감소시킴으로써, 동작속도가 향상된 바이폴라 트랜지스터를 간단한 공정에 의해 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.