다중 기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지 센서Structure of CMOS Image Sensor with the Multi-Pillar Type Transistor

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본 발명은 씨모스(Complementary metal-oxide-silicon; CMOS) 이미지 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 씨모스 이미지 센서 내에서 발생하는 암전류와 크로스토크(cross-talk)를 줄이는데 목적에 관한 것이다.본 발명에 따른 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지 센서는, 표면을 기준으로 상부는 단면이 원 또는 타원형인 다수 개의 기둥이 형성되고, 하부는 다수 개의 기둥과 인접하여 홈이 형성되는 기판; 기판의 하부에 형성된 홈에 증착된 플로팅 디퓨전; 기판의 상부에 형성된 다수 개의 기둥 위에 형성되는 수광소자; 및 플로팅 디퓨전 상단에 기판과 수직방향으로 형성되고 기판과 수광소자를 둘러싸도록 형성되는 트랜스퍼 게이트;를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.CMOS 이미지 센서, 수광소자, 트랜스퍼 게이트, 플로팅 디퓨젼, 암전류, 크로스토크(Cross-talk)
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2005-11-18
Application Number
10-2005-0110514
Registration Date
2006-11-13
Registration Number
10-0647514-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/299851
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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