면적변환가변용량다이오드AREA CHANGE VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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본 발명은 원하는 정전용량 특성을 가지며, 에피층설계에 자유도를 주고 같은 기판위에 다른 능동소자들과 함께 제작할 수 있는 면적변환 가변용량 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서 본 발명에 의하면 레이아웃상의 면적대비를 통하여 공핍층 면적을 활성층 식각, 선택적 에피층 성장, 이온주입, 또는 이들의 조합으로 급격히 변화시킨 면적변환 가변용량 다이오드가 제공된다. 이와 같은 구성의 면적변환 가변용량 다이오드는 마스크상의 패턴에 따라 정전용량 특성이 변화되므로 에피층에 제약을 가하지 않음으로써 타소자와의 집적에 있어서 유리하고 마스크패턴에 의존하므로 비선형성이 강한 정전용량 변화와 큰 정전용량 변화율을 갖는다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
1994-07-26
Application Number
10-1994-0018057
Registration Date
1998-02-03
Registration Number
10-0137070-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/299312
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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