플래시 구조를 이용하는 비휘발성 광 위상 변조기 및 이의 제조방법

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 비휘발성 광 위상 변조기는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층 상에 위치하는 절연체층; 및 상기 절연체층 상에 위치하며 상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층을 포함하되, 상기 절연체층은 플래시 구조를 포함하여 상기 광 위상 변조기의 스위칭 후 위상변화(광 경로)가 기억되도록 구성된다. 플래시 구조는 밴드갭이 큰 물질로 구성된 절연막 사이에 밴드갭이 작은 물질로 구성된 절연막이 삽입되어 전자 및 홀을 트래핑(trapping) 시킬 수 있는 플래시 게이트 스택(flash gate stack) 구조일 수 있다. 실시예에 따르면 전원 없이도 스위칭 후의 광 경로를 기억할 수 있는 비휘발성 광 위상 변조기(즉, 광 메모리 소자)를 구현할 수 있다. 또한, 플래시 구조의 구성물질과 구조변수의 설계변경을 통해 초저전력 광 스위치 소자를 구현할 수 있다.