발화 임계 전압 조절이 가능한 이중 게이트 구조의 단일 트랜지스터 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템A single transistor WITH DOUBLE GATE STRUCTURE FOR ADJUSTABLE FIRING THRESHOLD VOLTAGE, AND a neuromorphic system using it
발화 임계 전압 조절이 가능한 이중 게이트 구조의 단일 트랜지스터 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 이중 게이트 구조의 단일 트랜지스터 뉴런은 반도체 기판 상에 형성되며, 정공 배리어 물질 또는 전자 배리어 물질을 포함하는 배리어 물질층; 상기 배리어 물질층 상에 형성되는 부유 바디층(floating body); 상기 부유 바디층의 양측에 형성되는 소스 및 드레인; 상기 소스 및 드레인과 접하지 않으면서 상기 부유 바디층의 제1 측에 형성되는 드라이빙 게이트; 상기 소스 및 드레인과 접하지 않으면서 상기 부유 바디층의 제2 측에 형성되는 컨트롤 게이트; 및 상기 부유 바디층과 상기 드라이빙 게이트 사이 그리고 상기 부유 바디층과 상기 컨트롤 게이트 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2020-11-24
- Application Number
- 10-2020-0158523
- Registration Date
- 2022-02-28
- Registration Number
- 10-2370263-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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