유-무기 하이브리드 박막 기반 저항 변화 메모리 소자Resistive Random Access Memory Device with Organic-Inorganic Hybrid Film
저항 변화 메모리 소자에 있어서 저항 변화층이 하이브리드 박막인 메모리 소자에 관한 것으로, 유-무기 하이브리드 박막이 금속 산화물과 금속 수산화물 중 어느 하나 이상과 고분자 매트릭스를 포함하고, 금속 산화물과 금속 수산화물이 고분자 매트릭스에 화학적으로 결합되어 있는 저항 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2020-03-27
- Application Number
- 10-2020-0037226
- Registration Date
- 2021-10-19
- Registration Number
- 10-2317087-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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