유-무기 하이브리드 박막 기반 저항 변화 메모리 소자Resistive Random Access Memory Device with Organic-Inorganic Hybrid Film
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 김민주 | ko |
| dc.contributor.author | 정재중 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-11-03T06:53:36Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-03T06:53:36Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/288730 | - |
| dc.description.abstract | 저항 변화 메모리 소자에 있어서 저항 변화층이 하이브리드 박막인 메모리 소자에 관한 것으로, 유-무기 하이브리드 박막이 금속 산화물과 금속 수산화물 중 어느 하나 이상과 고분자 매트릭스를 포함하고, 금속 산화물과 금속 수산화물이 고분자 매트릭스에 화학적으로 결합되어 있는 저항 변화 메모리 소자를 제공할 수 있다. | - |
| dc.title | 유-무기 하이브리드 박막 기반 저항 변화 메모리 소자 | - |
| dc.title.alternative | Resistive Random Access Memory Device with Organic-Inorganic Hybrid Film | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정재중 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0037226 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2317087-0000 | - |
| dc.date.application | 2020-03-27 | - |
| dc.date.registration | 2021-10-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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