비휘발성 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법

Abstract

본원의 제1 발명에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 전원 전압단과 메모리 셀 노드 사이에 배치되어 상기 메모리 셀 노드에 일정값의 기준 전류를 지속적으로 제공하여 상기 메모리 셀 노드에 연속 전위를 인가하는 기준 전류원; 상기 메모리 셀 노드에서 검출되는 노드 전위와 상기 메모리 셀 노드에 인가하는 기준 전위를 비교하여 상기 노드 전위를 상기 기준 전위에 수렴시키는 네거티브 피드백부; 반도체소자의 문턱전압을 이용하여 상기 노드 전위를 검출하는 전위 검출부; 상기 전위 검출부의 출력에 응답하여 상기 기준 전위를 조정하기 위한 기준치 제어 신호를 생성하는 기준치 제어부; 및 상기 기준치 제어 신호에 응답하여 상기 기준 전위를 발생시키는 기준치 발생부를 포함한다.