학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기및전자공학부, 2020.2,[iv, 36 p. :]
V-NAND flash memory▼amacaroni oxide▼apermittivity▼asubthreshold swing▼adistribution▼aTCAD▼aself-boosting▼achannel potential▼acell caracteristics▼agate-all-around(GAA)▼apoly-silicon; 수직형 플래시 메모리▼a마카로니 산화물▼a유전율▼a문턱전압이하 스윙▼a분포▼aTCAD▼a셀프 부스팅▼a채널 전압▼a셀 특성▼a게이트 올 어라운드▼a다결정 실리콘
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.