자연 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터Natural Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistor
본 발명은 Moore의 법칙을 지속하기 위한 흑린 자연 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터(NJ-TFET)에 관한 것으로서, 본 발명의 NJ-TFET는 전력 소모가 적고, switching 속도가 빠르며, 상보형(complementary) 작동이 가능하여 종래의 CMOS 트랜지스터를 대체하고, Moore 법칙을 연장할 수 있도록, 흑린(Black Phosphorus) 원자막 등 2차원 물질을 이용하는, 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터의 구조와 제조방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2019-07-17
- Application Number
- 10-2019-0086206
- Registration Date
- 2020-03-19
- Registration Number
- 10-2093141-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
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