DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 조성재 | ko |
dc.date.accessioned | 2020-03-27T03:20:18Z | - |
dc.date.available | 2020-03-27T03:20:18Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/273690 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 Moore의 법칙을 지속하기 위한 흑린 자연 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터(NJ-TFET)에 관한 것으로서, 본 발명의 NJ-TFET는 전력 소모가 적고, switching 속도가 빠르며, 상보형(complementary) 작동이 가능하여 종래의 CMOS 트랜지스터를 대체하고, Moore 법칙을 연장할 수 있도록, 흑린(Black Phosphorus) 원자막 등 2차원 물질을 이용하는, 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터의 구조와 제조방법을 제공한다. | - |
dc.title | 자연 헤테로 접합 터널 전계 효과 트랜지스터 | - |
dc.title.alternative | Natural Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistor | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 조성재 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0086206 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2093141-0000 | - |
dc.date.application | 2019-07-17 | - |
dc.date.registration | 2020-03-19 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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