고유전율 절연막이 구비된 저마늄 반도체 소자 및 이의 제조방법

Abstract

본 발명에 따른 저마늄 반도체 소자는 저마늄(Ge) 채널; 및 상기 저마늄 채널상 위치하는 절연막;을 포함하되, 상기 절연막의 유전상수는 40 이상이며, 저마늄 채널을 이루는 저마늄의 에너지 밴드갭의 중심(Ei, eV)을 기준으로 Ei -0.2 eV ~ Ei + 0.2 eV의 범위에서, 1012 (eV-1cm-2)이하의 계면트랩밀도(Dit)를 갖는다.