고유전율 절연막이 구비된 저마늄 반도체 소자 및 이의 제조방법Ge Semiconductor Device Having High-k Insulating Film and the Fabrication Method Thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 이태인 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-12-23T07:22:00Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-23T07:22:00Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/270302 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 저마늄 반도체 소자는 저마늄(Ge) 채널; 및 상기 저마늄 채널상 위치하는 절연막;을 포함하되, 상기 절연막의 유전상수는 40 이상이며, 저마늄 채널을 이루는 저마늄의 에너지 밴드갭의 중심(Ei, eV)을 기준으로 Ei -0.2 eV ~ Ei + 0.2 eV의 범위에서, 1012 (eV-1cm-2)이하의 계면트랩밀도(Dit)를 갖는다. | - |
| dc.title | 고유전율 절연막이 구비된 저마늄 반도체 소자 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Ge Semiconductor Device Having High-k Insulating Film and the Fabrication Method Thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이태인 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0037209 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2056312-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-03-30 | - |
| dc.date.registration | 2019-12-10 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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