게이트 - 유발 드레인 누설 전류를 이용한 비휘발성 메모리 소자, 비휘발성 메모리 소자의 소거 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템

Abstract

본 발명은 게이트 - 유발 드레인 누설 전류를 이용한 비휘발성 메모리 소자, 비휘발성 메모리 소자의 소거 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판, 전하 저장 영역, 채널 영역, 터널링 절연층, 게이트 구조물, 및 전위 인가 구조물을 포함하며, 전위 인가 구조물로 게이트 누설 전류를 발생시키는 채널 전위를 인가하여 상기 채널 영역에 줄 열(Joule heat)을 발생시켜 상기 전하 저장 영역에 채널 전위와 줄 열을 동시에 인가하고, 상기 채널 영역에 게이트 - 유발 드레인 누설 전류(gate induced drain leakage)를 이용하여 기준 전위 이상의 양 전위를 상기 채널 영역에 인가하여, 상기 전하 저장 영역에 저장된 적어도 최소 단위의 전하를 방출시키는 데이터 소거 동작을 수행한다.