무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법THE METHOD FOR ENHANCING THE DRIVING CURRENT OF JUNCTIONLESS TRANSISTOR
무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법이 제공된다. 상기 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법은, 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 서로 동일한 타입의 도펀트(dopant)로 도핑된 소스 및 드레인 영역, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 동일한 타입의 도펀트(dopant)로 도핑된 나노와이어 채널 영역, 상기 나노와이어 채널 영역을 둘러싸도록 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 상기 나노와이어 채널 영역을 둘러싸도록 형성된 게이트 전극을 포함하는 무접합 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 전압을 인가하여 발생된 줄열(joule heat)에 의해 상기 나노와이어 채널 영역에 흐르는 전류량을 증가시킨다.
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-04-20
- Application Date
- 2016-10-07
- Application Number
- 10-2016-0129673
- Registration Date
- 2018-04-20
- Registration Number
- 10-1852424-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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