수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 실리콘 기판 상에 좌우로 서로 이격되어 배치된 캐소드 전극 및 애노드 전극; 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에서 각각 하방으로 상기 실리콘 기판 내부까지 신장하는 콘택 패턴; 실리콘 기판 내에 좌우로 서로 이격되어 배치되되, 상기 콘택 패턴을 둘러싸도록 형성된, 캐소드 웰 및 애노드 웰; 및 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰 사이의 상기 실리콘 기판 내에 배치되며, 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 디텍션 영역; 을 포함하며, 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자를 제공한다.