DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
dc.contributor.author | 설우석 | ko |
dc.contributor.author | 유현 | ko |
dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:57:39Z | - |
dc.date.available | 2019-04-15T14:57:39Z | - |
dc.date.issued | 2019-01-02 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254621 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 실리콘 기판 상에 좌우로 서로 이격되어 배치된 캐소드 전극 및 애노드 전극; 상기 캐소드 전극 및 상기 애노드 전극에서 각각 하방으로 상기 실리콘 기판 내부까지 신장하는 콘택 패턴; 실리콘 기판 내에 좌우로 서로 이격되어 배치되되, 상기 콘택 패턴을 둘러싸도록 형성된, 캐소드 웰 및 애노드 웰; 및 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰 사이의 상기 실리콘 기판 내에 배치되며, 입사된 광자를 수집하여 아발란치 증폭(avalanche multiplication)을 일으키는, 디텍션 영역; 을 포함하며, 상기 캐소드 웰과 상기 애노드 웰은 상기 콘택 패턴의 깊이 방향에 따른 도핑 농도가 균일한 것을 특징으로 하는, 수평형 실리콘 광증배소자를 제공한다. | - |
dc.title | 수평형 실리콘 광증배소자 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Lateral type silicon photomultiplier and methods of fabricating the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 설우석 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 유현 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0125541 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1936193-0000 | - |
dc.date.application | 2017-09-27 | - |
dc.date.registration | 2019-01-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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