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(A) new resistance model for a schottky barrier diode in CMOS including n-well thickness effect = CMOS 쇼트키 배리어 다이오드를 위한 n-well 두께 효과를 포함한 저항 모델link Lee, Jaelin; 이재린; et al, 한국과학기술원, 2013 |
새로운 Lateral reverse-etching 기술을 이용한 초고속 InP DHBT 제작 = Fabrication of high-speed InP DHBTs using a new lateral reverse-etching techniquelink 정용식; Jeong, Yong-Sik; et al, 한국과학기술원, 2003 |
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