본 발명은 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 씨모스 이미지 센서 내에서 발생하는 암전류를 효과적으로 줄이기 위한 것이다. 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는, 소정의 형상으로 기판에 형성되는 수광소자; 수광소자와 수평 방향으로 소정 이격되며, 수광소자를 둘러싸도록 기판에 형성되는 플로팅 디퓨전; 및 수광소자 및 플로팅 디퓨전과 수직 방향으로 소정 이격되어 형성되고, 수광소자 및 플로팅 디퓨전의 인접 경계영역에서 각각 중첩되도록 형성되며 중공(中空)의 형상을 갖는 트랜스퍼 게이트를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.