실리콘 핀과 바디가 채널로 형성된 전계 효과트랜지스터의 제작 방법 및 그 구조

Abstract

본 발명은 전계 효과 트랜지스터 제작 방법 및 그 구조에 관한 것으로, 상세하게는 서로 다른 오리엔테이션을 갖는 실리콘 핀과 바디를 채널로 이용하는 전계 효과 트랜지스터 제작 방법과 그 제작 방법에 의하여 제작된 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 핀과 바디가 채널로 형성된 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은, (a) 실리콘 기판, 하부절연막, 실리콘 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 채널이 형성될 실리콘 핀과 소스/드레인이 형성될 실리콘 영역의 패턴을 형성하며, 채널이 형성될 실리콘 바디를 위하여 일정 두께의 실리콘을 이방 식각하는 단계; (c) 엑티브 마스크(Active mask)를 이용하여 실리콘 박막의 부분적인 식각을 통하여 소스/드레인 및 소자간에 격리시키는 단계; 및 (d) 상기 실리콘 채널 주위에 게이트 유전막을 성장시키고, 게이트 물질과 게이트 마스크를 순차적으로 증착한 후, 게이트 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 전계 효과 트랜지스터, 삼차원 구조(Three-Dimensional Structure), 초 박막 채널(Ultra Thin-Body Channel), 단채널 효과(Short-Channel Effects), 크리스탈 오리엔테아션(crystal orientation), 이중 게이트(Double-Gate), 다중 게이트(Multiple-Gate), FinFET