전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법The Bio-Sensor using Field Effective Transistor and Its manufacturing method

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본 발명은 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서에 관한 것으로서, 전계효과 트랜지스터 기판의 후면에서 바이오 물질의 흡착 또는 탈착에 의해 생기는 전기적 특성 변화 효과를 전계효과 트랜지스터 기판 채널의 상부 또는 하부에서 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층상의 소정영역에 이격되어 형성되는 소스(source)와 드레인(drain); 상기 소스와 상기 드레인 사이의 영역에 형성되는 활성반도체층; 상기 활성반도체층 상에 형성되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 게이트(gate);를 포함하되, 상기 절연층은, 상기 활성반도체층의 하부면과 접하는 소정 영역이 제거되어 검출대상물질을 포획할 수 있는 공간인 공극을 형성하되, 상기 공극은 수용체 바이오분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명의 타측면에 의하면, 서브스트레이트 기판; 상기 서브스트레이트 기판상에 형성되는 절연층; 상기 절연층 상부면의 소정영역상에 형성되는 게이트; 상기 게이트의 상부면 및 양측면에 형성되는 유전체층; 상기 유전체층 상부면의 소정영역상에 형성되고, 그 상부면에 수용체 바이오분자를 구비하는 활성반도체층; 및 상기 게이트 및 유전체층이 형성되지 아니한 절연층의 상부면의 소정영역과, 상기 유전체층의 측면 및 상기 활성반도체층의 측면과 접하도록 형성되고, 또한 서로 이격되어 형성되는 소스와 드레인; 을 포함하는 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서를 제공한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2011-08-05
Application Date
2010-03-05
Application Number
10-2010-0019832
Registration Date
2011-08-05
Registration Number
10-1056467-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/236834
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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