전기도금법에 의한 반도체 소자의 플립칩 접속용 ＵＢＭ의형성방법(Fabrication Method of multilayer UBM by Electroplatingfor Flip chip Interconnections)
본 발명은 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법으로서, 니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와, 소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계, 및 전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법을 개시한다. 상기 구성에 의하면 패턴이 형성된 웨이퍼상에서 UBM을 형성시 요구되는 젖음성, 확산방지기능, 저응력의 조건을 만족하면서 식각과정을 생략할 수 있어 저가의 공정 방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2005-03-03
- Application Date
- 2002-07-27
- Application Number
- 10-2002-0044442
- Registration Date
- 2005-03-03
- Registration Number
- 10-0476301-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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