주사 시스템에 사용되는 근접 전장 탐사기

Abstract

본 발명은 광도전성 표본 (Photoconductive Sampling) 측정 원리를 적용한 근접전장 탐사기(Electric Near-Field Probe)에 관한 것이다. 본 발명의 근접전장 탐사기는 반도체 박막의 광도전체 및 상기 반도체 박막의 광도전체 상에 형성된 광도전성 스위치를 구비하는 광도전성 스위치 조립체와, 상기 광도전성 스위치 조립체가 광학용 접착제에 의해 그의 일측에 결합되는 광도파로를 포함한다. 상기 광도파로는 그의 외주 표면에 두개의 평행한 스트라이프 전극을 형성하는 전도성 물질이 코팅되어 있다. 상기 광도파로의 일측은 원형 또는 구형의 단면 또는 기설정 각도로 깍여진 경사 단면을 갖는다. 본 발명의 근접 전장 탐사기는 측정 대상체의 2차원 및 3차원의 전장(Electric-Field) 성분의 측정이 가능하며, 주사(Scanning)시스템과 결합하여 2차원 및 3차원 전장분포의 지도제작(Mapping)이 가능하다. 3차원 주사 시스템, 광 검출기, 근접전장 탐사기, 테라헬쯔 시스템, 테라헬쯔 이미징