관통실리콘비아를 갖는 반도체칩에서 크로스토크 차폐를 위한 쉴딩구조SHIELDING STRUCTURE FOR CROSSTALK SHELDING IN SEMICONDUCTOR CHIP WITH THROUGH SILICON VIA

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본 발명은 관통실리콘비아간의 크로스토크를 차폐하고 기판노이즈를 최소화할 수 있는 반도체칩을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체칩은 실리콘기판; 상기 실리콘기판을 관통하는 복수의 관통실리콘비아; 및 적어도 어느 하나의 상기 관통실리콘비아의 주변을 에워싸는 크로스토크쉴딩부를 포함하고, 상술한 본 발명은 관통실리콘비아의 주변을 에워싸는 크로스토크쉴딩부를 구비함으로써 관통실리콘비아간의 크로스토크를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한, 본 발명은 캐패시터를 이용하여 관통실리콘비아의 주변을 에워쌈으로써 관통실리콘비아간의 크로스토크 및 기판노이즈를 방지할 수 있는 효과가 있다.
Assignee
에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2011-08-31
Application Date
2009-06-01
Application Number
10-2009-0048140
Registration Date
2011-08-31
Registration Number
10-1062848-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/235645
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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