저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법LOW POWER SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATINGMETHOD THEREOF
본 발명은 저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법에 관한 것으로서, 반도체 메모리 장치에 새로운 데이터를 쓰고자 할 때 이미 저장된 데이터와 쓰고자 하는 새로운 데이터가 동일할 경우 쓰기 구동회로를 동작시키지 않음으로써 전력소모를 줄일 수 있는 이점이 있다. 저전력, 반도체, 메모리장치, 메모리셀, 쓰기 인가신호, 컬럼콘트롤러
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2003-11-04
- Application Date
- 2001-12-04
- Application Number
- 10-2001-0076103
- Registration Date
- 2003-11-04
- Registration Number
- 10-0405938-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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