저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법LOW POWER SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATINGMETHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 유회준 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:29:59Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:29:59Z | - |
| dc.date.issued | 2003-11-04 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234154 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법에 관한 것으로서, 반도체 메모리 장치에 새로운 데이터를 쓰고자 할 때 이미 저장된 데이터와 쓰고자 하는 새로운 데이터가 동일할 경우 쓰기 구동회로를 동작시키지 않음으로써 전력소모를 줄일 수 있는 이점이 있다. 저전력, 반도체, 메모리장치, 메모리셀, 쓰기 인가신호, 컬럼콘트롤러 | - |
| dc.title | 저전력 반도체 메모리 장치 및 그 작동방법 | - |
| dc.title.alternative | LOW POWER SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATINGMETHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 유회준 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2001-0076103 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0405938-0000 | - |
| dc.date.application | 2001-12-04 | - |
| dc.date.registration | 2003-11-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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