정배열된 금속 나노점을 이용한 다중비트 비휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정배열된 금속 나노점을 이용한 다중비트 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 다중비트 비휘발성 메모리의 제조 방법에 있어서, (a) 실리콘 기판에 제1 절연막을 형성하고 금속 나노점에 대하여 에지 선택도(etch selectivity)가 높으며 리프트 오프(lift-off)에 유리한 나노미터 크기의구형물질을 단층으로 형성하는 단계; (b) 상기 형성된 구형물질의 공극 사이에 금속을 수직 증착하는 단계; (c) 상기 구형물질을 식각하는 리프트 오프 공정을 통하여 형성된 금속 나노점을 제1 절연막 위에 패터닝하는 단계; (d) 상기 패터닝 된 금속 나노점 위에 제2 절연막을 증착하는 단계; (e) 상기 제2 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 (f) 소스/드레인 영역 형성을 위하여 불순물을 주입한 후 트랜지스터 제조공정을 이용하여 비휘발성 메모리를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.