멤스 디바이스 제조방법Method for making MEMS devices
비정질 탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성한다. 상기 비정질 탄소막 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 비정질 탄소막을 제거한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-03-28
- Application Date
- 2011-12-12
- Application Number
- 10-2011-0132858
- Registration Date
- 2013-03-28
- Registration Number
- 10-1250447-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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