벌크형 나노구조 트랜지스터 및 이의 제조방법Bulk nanostructure transistor with suppressed leakage current path
본 발명의 벌크형 나노구조 트랜지스터는 벌크형 기판; 상기 벌크형 기판 상에, 상기 벌크형 기판으로부터 이격된 나노구조의 채널을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 벌크형 기판과 상기 소스 사이에 위치한 제1매몰 절연층 및 상기 벌크형 기판과 상기 드레인 사이에 위치한 제2매몰 절연층; 및 상기 벌크형 기판 상으로써 상기 소스와 상기 드레인 사이에 위치한 게이트를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-07-19
- Application Date
- 2012-08-13
- Application Number
- 10-2012-0088191
- Registration Date
- 2013-07-19
- Registration Number
- 10-1289666-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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