유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자

Abstract

유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계; 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다.