유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자Method for manufacturing GaN LED device and GaN LED device manufactured by the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이건재 | ko |
| dc.contributor.author | 박소영 | ko |
| dc.contributor.author | 이승현 | ko |
| dc.contributor.author | 구민 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:12:48Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:12:48Z | - |
| dc.date.issued | 2013-11-05 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233596 | - |
| dc.description.abstract | 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계; 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다. | - |
| dc.title | 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 | - |
| dc.title.alternative | Method for manufacturing GaN LED device and GaN LED device manufactured by the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이건재 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박소영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이승현 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0071321 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1328006-0000 | - |
| dc.date.application | 2013-06-21 | - |
| dc.date.registration | 2013-11-05 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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