3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자를 초고층으로 확장하는 방법Method of extending 3-dimensional nonvolatile memory device to higher stacking one
본 발명의 일 형태에 따른 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자는 기판 및 상기 기판 상으로 상향 신장되며 제 1 도전형의 불순물이 도핑된 적어도 하나의 반도체 기둥 및 상기 적어도 하나의 반도체 기둥을 따라 직렬로 연결된 복수의 메모리셀들을 구비하는, 상기 적어도 하나의 낸드 스트링을 포함한다. 상기 기판은, 상기 적어도 하나의 반도체 기둥과 접하며, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, LDD 영역; 및 상기 반도체 기둥과 접하지 않도록 상기 반도체 기둥과 이격되면서, 상기 LDD 영역의 일부를 둘러싸며, 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, 소오스 영역;을 포함하며, 상기 LDD 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도는 상기 소오스 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도보다 더 낮다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2015-01-23
- Application Date
- 2014-02-07
- Application Number
- 10-2014-0014399
- Registration Date
- 2015-01-23
- Registration Number
- 10-1487746-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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