DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이완규 | ko |
dc.contributor.author | 김정우 | ko |
dc.contributor.author | 전호승 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:59:43Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T10:59:43Z | - |
dc.date.issued | 2015-01-23 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233212 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 일 형태에 따른 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자는 기판 및 상기 기판 상으로 상향 신장되며 제 1 도전형의 불순물이 도핑된 적어도 하나의 반도체 기둥 및 상기 적어도 하나의 반도체 기둥을 따라 직렬로 연결된 복수의 메모리셀들을 구비하는, 상기 적어도 하나의 낸드 스트링을 포함한다. 상기 기판은, 상기 적어도 하나의 반도체 기둥과 접하며, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, LDD 영역; 및 상기 반도체 기둥과 접하지 않도록 상기 반도체 기둥과 이격되면서, 상기 LDD 영역의 일부를 둘러싸며, 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, 소오스 영역;을 포함하며, 상기 LDD 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도는 상기 소오스 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도보다 더 낮다. | - |
dc.title | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자를 초고층으로 확장하는 방법 | - |
dc.title.alternative | Method of extending 3-dimensional nonvolatile memory device to higher stacking one | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김정우 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 전호승 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0014399 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1487746-0000 | - |
dc.date.application | 2014-02-07 | - |
dc.date.registration | 2015-01-23 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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