그래핀 핫 전자 나노 다이오드Graphene Hot electron Nano-diode
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다이오드는 핫 전자 기반 나노 다이오드이며, 광에 의해 핫 전자가 생성 및 증폭되는 그래핀 층; 그래핀 층과 쇼트키 접합을 이루는 반도체층;을 포함한다.
- Assignee
- 기초과학연구원,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2016-02-24
- Application Date
- 2014-10-21
- Application Number
- 10-2014-0142325
- Registration Date
- 2016-02-24
- Registration Number
- 10-1598779-0000
- Appears in Collection
- EEW-Patent(특허)
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