그래핀 핫 전자 나노 다이오드Graphene Hot electron Nano-diode
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박정영 | ko |
| dc.contributor.author | 이영근 | ko |
| dc.contributor.author | 이효선 | ko |
| dc.contributor.author | 이창환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T08:35:34Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T08:35:34Z | - |
| dc.date.issued | 2016-02-24 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231909 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 다이오드는 핫 전자 기반 나노 다이오드이며, 광에 의해 핫 전자가 생성 및 증폭되는 그래핀 층; 그래핀 층과 쇼트키 접합을 이루는 반도체층;을 포함한다. | - |
| dc.title | 그래핀 핫 전자 나노 다이오드 | - |
| dc.title.alternative | Graphene Hot electron Nano-diode | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박정영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이영근 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이효선 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이창환 | - |
| dc.contributor.assignee | 기초과학연구원,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0142325 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1598779-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-10-21 | - |
| dc.date.registration | 2016-02-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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