질화붕소 양자점 제작 방법Boron-Nitride Quantum Dots synthesis by thermal defect engineering
본 발명은 질화붕소 양자점 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 마이크로파와 열처리를 통해 간단하게 제작할 수 있는 결함공학이라는 특별한 방법을 적용한 질화붕소 양자점 및 그 제작방법이 제공된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2016-03-17
- Application Date
- 2014-05-23
- Application Number
- 10-2014-0062482
- Registration Date
- 2016-03-17
- Registration Number
- 10-1605707-0000
- Appears in Collection
- ME-Patent(특허)
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