질화붕소 양자점 제작 방법Boron-Nitride Quantum Dots synthesis by thermal defect engineering
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오일권 | ko |
| dc.contributor.author | 정정환 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:27:36Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T07:27:36Z | - |
| dc.date.issued | 2016-03-17 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231406 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 질화붕소 양자점 및 그 제작 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 마이크로파와 열처리를 통해 간단하게 제작할 수 있는 결함공학이라는 특별한 방법을 적용한 질화붕소 양자점 및 그 제작방법이 제공된다. | - |
| dc.title | 질화붕소 양자점 제작 방법 | - |
| dc.title.alternative | Boron-Nitride Quantum Dots synthesis by thermal defect engineering | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 오일권 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정정환 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0062482 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1605707-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-05-23 | - |
| dc.date.registration | 2016-03-17 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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