인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법

Abstract

본 발명은 양자점의 핵 성장 단계에서 단일 공정으로 실리카 소스 물질을 주입하는 것을 특징으로 하는 단일공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 단일공정은 (i) 양자점의 핵 성장에서 양자점 표면에 붙어 있는 alkyl-thiol 리간드를 극성을 가지는 리간드 또는 hydroxide기가 부착된 리간드로 치환하는 단계; 및 (ii) 실리카층의 형성에서 alkoxysilane 또는 silanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제를 주입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.본 발명에 의하면 종래의 여러 단계의 공정을 한 단계의 반응으로 줄일 수 있고, 별도의 정제 과정 또한 불필요하며, 신속하고, 안정성 또한 매우 높다. 나아가 본 발명의 기술은 발광 소자, 디스플레이 패널, LED 등의 시장 적용성이 우수하다.