DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 전덕영 | ko |
dc.contributor.author | 김현기 | ko |
dc.contributor.author | 권병화 | ko |
dc.contributor.author | 김영선 | ko |
dc.contributor.author | 서민원 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:56:50Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T02:56:50Z | - |
dc.date.issued | 2013-09-16 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230902 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 양자점의 핵 성장 단계에서 단일 공정으로 실리카 소스 물질을 주입하는 것을 특징으로 하는 단일공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 단일공정은 (i) 양자점의 핵 성장에서 양자점 표면에 붙어 있는 alkyl-thiol 리간드를 극성을 가지는 리간드 또는 hydroxide기가 부착된 리간드로 치환하는 단계; 및 (ii) 실리카층의 형성에서 alkoxysilane 또는 silanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제를 주입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.본 발명에 의하면 종래의 여러 단계의 공정을 한 단계의 반응으로 줄일 수 있고, 별도의 정제 과정 또한 불필요하며, 신속하고, 안정성 또한 매우 높다. 나아가 본 발명의 기술은 발광 소자, 디스플레이 패널, LED 등의 시장 적용성이 우수하다. | - |
dc.title | 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | In-situ formation of QDs/SiO2 composite powder and its application to LEDs | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 전덕영 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김현기 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 권병화 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김영선 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 서민원 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,엘지이노텍 주식회사 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0057729 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1311688-0000 | - |
dc.date.application | 2013-05-22 | - |
dc.date.registration | 2013-09-16 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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