메모리 소자 및 그 제작방법MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
본 발명의 실시 형태는 메모리 소자 및 그 제작방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 메모리 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1반도체 층; 상기 제1반도체 층 상에 배치된 제2반도체 층; 상기 제2반도체 층 상에 배치된 제3반도체 층; 상기 제2반도체 층의 측면 상 일부에 배치된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극; 을 포함하고, 상기 제2반도체 층은 제1영역 및 제2영역을 갖고, 상기 제1영역 및 상기 제2영역은 상기 게이트 절연막에 의해 구분된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-06-30
- Application Date
- 2013-04-10
- Application Number
- 10-2013-0038966
- Registration Date
- 2014-06-30
- Registration Number
- 10-1415542-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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