관통 실리콘 비아 연결성 탐침 소자, 이를 포함하는 연결성 측정 장치 및 방법THROUGH SILICON VIA CONNECTIVITY PROBING ELEMENT, TEST DEVICE INCLUDING THE SAME AND CONNECTIVITY TEST METHOD

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관통 실리콘 비아 연결성 탐침 소자는 제1 코일부, 제1 탐침부, 제2 탐침부 및 제2 코일부를 포함한다. 제1 코일부는 제1 인덕티브 커플링에 기초하여 입력 전압을 수신하고 전달한다. 제1 탐침부는 입력 전압을 전달 받고 적어도 하나의 제1 관통 실리콘 비아에 입력 전압을 인가한다. 제2 탐침부는 제1 관통 실리콘 비아에 인접하게 배치되는 적어도 하나의 제2 관통 실리콘 비아와 제1 관통 실리콘 비아 사이의 커패시터에 기초하여 입력 전압에 응답하는 출력 전압을 탐침하여 전달한다. 제2 코일부는 출력 전압을 전달 받고 제2 인덕티브 커플링에 기초하여 출력 전압을 송신한다. 마이크로 범프에 직접 프로빙 함으로써 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 인덕티브 커플링에 기초한 관통 실리콘 비아 연결성 탐침 소자를 이용하게 되면 보다 정확한 관통 실리콘 비아 연결성 검증이 가능하다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2014-08-26
Application Date
2013-05-06
Application Number
10-2013-0050578
Registration Date
2014-08-26
Registration Number
10-1436462-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/229732
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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