DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 박승빈 | ko |
dc.contributor.author | 칼리드 | ko |
dc.contributor.author | 송동수 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:26:00Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:26:00Z | - |
dc.date.issued | 2014-08-14 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229710 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은, 전기적 및 광학적 특성이 우수한 붕소 또는 탄탈럼이 도핑된 산화아연(ZnO) 박막을 제조하는데 있어 정전분무법을 사용함으로서, 기존에 금속이 도핑된 산화아연 박막을 생성하는 공정에 비해 간단할 뿐만 아니라 낮은 저항도 및 높은 투과도를 지니는 산화아연 박막을 제공한다. | - |
dc.title | 산화아연 박막의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Manufacturing method for preparing ZnO thin films | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 박승빈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 칼리드 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 송동수 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0011494 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1432682-0000 | - |
dc.date.application | 2013-01-31 | - |
dc.date.registration | 2014-08-14 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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