비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법

Abstract

3차원 적층이 용이하고, 소비전력이 낮으며, 동작속도가 빠른 기계 스위치를 이용하여 비휘발성 다중 비트 메모리 셀을 구현함으로써, 용량을 확장시키기가 용이하고 반도체 소자의 필요가 없으며 간략한 구성으로서 집적화가 용이한 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 비휘발성 다중 비트 메모리 셀로서, 저장하고자 하는 데이터에 대응되는 데이터 전압 신호를 인가하는 데이터 신호선(100); 상기 데이터 전압 신호를 상기 메모리 셀에 쓰는 경우 쓰기 전압을 인가하는 쓰기 신호선(101)을 게이트 입력으로 하고, 상기 데이터 신호선(100)을 소스 전극으로 하는 쓰기 스위치(102); 일단이 상기 쓰기 스위치(102)의 드레인 전극으로서 기능하는 전극(103)에 연결되고, 타단은 상기 메모리 셀에 저장된 데이터 전압신호를 읽고자 하는 경우 읽기 전압을 인가하는 읽기 신호선(106)에 연결되는 커패시터(104); 및 상기 전극(103)을 게이트 입력으로 하고, 기준 전압에 연결되는 소스 전극을 갖는 읽기 스위치(107)를 포함하는 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법이 제공된다.