반도체 패키지 기판은 접지 전압을 제공하는 그라운드 플레인, 전원 전압을 제공하고 그라운드 플레인에 평행한 파워 플레인, 그라운드 플레인 및 파워 플레인을 관통하여 신호를 전달하는 비아 홀, 파워 플레인과 그라운드 플레인 사이에 위치하고, 비아 홀을 둘러싸는 복수의 제1 EBG 플레인들, 및 파워 플레인과 그라운드 플레인 사이에 위치하고, 비아 홀을 둘러싸며, 제1 EBG 플레인들과 적층 구조로 형성되는 복수의 제2 EBG 플레인들을 포함한다. 따라서 반도체 패키지 기판은 이중 적층 EBG 구조를 포함함으로써 요구되는 대역에서의 노이즈를 감소시킬 수 있다.